三星美国芯片厂或于三季度开建

据韩国媒体5月17日报道，三星电子或将于今年第三季度开始在美国建造计划中的170亿美元芯片工厂，目标是在2024年投入运营。

据悉，三星计划在该工厂采用先进的5纳米极紫外（EUV）光刻芯片制造工艺。工厂或将位于得州奥斯汀。

三星向得州官员提交的文件显示，三星将奥斯汀作为这家170亿美元芯片工厂的数个选址之一，称这将创造1800个工作岗位。三星计划在新工厂为外部客户生产“先进逻辑设备”，这意味着该公司将致力于生产体积最小、速度最快的计算芯片。

美国总统拜登呼吁国会提供500亿美元资金支持本土芯片制造，此举促使英特尔（INTC.O）、全球最大芯片代工厂台积电等公司考虑在美国进行重大新投资。